国内闻名快充芯片大厂推出一款全新44 W UFCS单A口快充计划!
- 型号:LDX-K3050
- 输出电压:0-30V 输出电流:0-50A
- 来源:大鱼游戏官网
- 发布时间:2025-10-19 12:20:56
- 在 2025 年 5 月的“交融快充工业高质量开展大会” 上,华为、荣耀、OPPO、vivo 四
在 2025 年 5 月的“交融快充工业高质量开展大会” 上,华为、荣耀、OPPO、vivo 四大厂商联合签署了 UFCS 2.0 规范,经过协议完成了 40W 无鉴权功率互通,意味着不一样的品牌的设备和充电器之间可以直接高速充电,无需杂乱认证流程。
基于此,智融科技也最新推出了一款支撑 UFCS 44 W 快充协议的单 A 口快充计划,支撑最高44W (11V/4A),兼容33W(11V/3A),支撑私有协议定制。该计划内置智融自研的 PWM 反激操控器 SW1136、快充协议芯片 SW2313S 以及同步整流操控器 SW1608,合作同步整流 MOSFET,功率密度可达约1.04W/cm³,功率最高到达了91.94%,且空载功耗满意能效规范,经过多种维护测验,EMI 契合 EN55032B 规范,接下来充电头网将具体的介绍一下这款计划以及这款计划内置的多款芯片。
计划正面一览,其上设有变压器、X2电容、保险丝、Y电容、电解电容、固态电容,Type-A接口。
计划反面一览,设有PWM反激操控器SW1136、协议芯片SW2313S以及同步整流操控器SW1608,合作 GaN 开关管与同步整流 MOSFET,让整个计划都完成了高功率和高功率密度。
功率与纹波测验显现,空载功耗在 230V 输入时为 64mW,契合规范要求;负载状态下,11V4A、9V3A、5V3A 形式在不同电压输入时均有较好功率体现,在230V输入11V4A 满载功率到达最高,为91.94%,纹波随负载和输入电压改变,最高为 264mV。
接下来介绍一下这款计划内置的三款中心芯片,分别是PWM反激操控器 SW1136、快充协议芯片SW2313S以及同步整流操控器SW1608.
SW1136 是智融研制的高功用多形式电流型 PWM 反激操控器,面向离线式反激变换器运用,支撑 8V~90V 超宽 VDD 供电,适配 PD 适配器等宽输出场景。经过自适应切换CCM(满载)/QR(重轻载)形式,优化全负载段功率,空载待机功耗低于 75mW 。
该芯片集成完善维护体系,包含 Brown - in/out、UVLO、VDD 过欠压、输出过欠压、逐周期限流、过载、CS 开路及片表里温保等功用;一起具有智能谷底确定、内置软启动、驱动才能动态调整与频率抖动技能,进步 EMI 功用,选用 SOT23 - 6 封装,适用于适配器、充电器、AC - DC 开关电源等范畴 。
SW2313S 是智融研制的高集成度 Type - A 口快充协议操控器,内置 32bit 高功用 MCU 内核,支撑在线晋级、固件加密,装备 UART、多路 GPIO 与 GPADC 接口,支撑 VFCP、UFCS、QC3.0/QC2.0 等快充协议,还支撑私有协议定制,满意多样化快充需求。
SW2313S支撑 3.3V~13V 调压(10mV 步长)、0.3A~5A 限流(25mA 步长),集成光耦反响、CV/CC 环路及 VIN 快速放电、母线电压检测功用;具有输入过压 / 欠压、输出过流、芯片 DIE 及 NTC 过温维护机制,选用 SSOP10 封装,适用于适配器、插排等快充运用场景 。
SW1608是一款针对离线式反激变换器的副边同步整流管(MOSFET)驱动的高功用操控器,选用SOT23-6封装,其支撑6V或许9V VCC供电,而且VCC具有自供电功用,无需辅佐绕组供电并支撑宽输出电压规模, 合作 MOSFET 运用代替肖特基整流二极管,可以显着进步体系功率。
SW1608支撑600KHz作业频率,并支撑 High Side/Low Side 多种运用场景,支撑 CCM/QR/DCM 多种作业形式。此外其内部集成智能导通检测功用,可以有很大作用防备 DCM 振铃引起的误导通;芯片还具有超低关断传输延迟时间和强下拉电流才能,可以显着下降整流管的电压应力。
充电头网拆解了解到,智融科技SW1608此前还被雅晶源65W 2C1A氮化镓充电器、安克Nano 70W 2C1A氮化镓充电器、倍思65W 2C1A氮化镓快充充电器、绿联65W 2C1A拉拉线氮化镓充电器等产品选用。
针对 264V 沟通输入条件下,测验该计划输出短路维护(空载→短路、满载→短路)及初级 GaN 器材在空载、满载正常输出时的电应力 ;短路工况下电源可快速触发过流维护逻辑,防止继续短路损害;GaN 器材的电压应力峰值在空载、满载时均未超出额外耐压,阐明器材选型匹配、拓扑规划合理 。测验成果证明,电源在反常短路与正常负载下,中心维护机制有用、功率器材作业安全裕量足够。
针对 264V 输入的情况下,测得该计划同步整流MOS管在空载、满载正常输出时的电应力波形,一起收集 90V 和 264V 输入下满载输出的CS信号,计算得磁密 Bm 分别为 0.285T、0.218T,可以精确的看出次级同步整流与变压器规划匹配度高,计划在宽电压输入、全负载区间内,中心部件作业在安全可靠区,可支撑 40W 快充的安稳运转。
该 EMI 辐射发射测验为该计划在11V4A 输出,110V、230V 输入条件下,收集 3 米间隔处水平 / 笔直方向、30MHz~1GHz 频段的辐射信号;测验多个方面数据显现,一切频点修正后辐射值均低于法规限值,且存在正裕量,阐明电源的 EMC 规划有用,满意电磁兼容法规要求,可保证与周边设备的电磁兼容性,支撑产品合规认证与安稳运转 。
该计划输入电压为90–264 VAC、频率掩盖 47–63 Hz,合作高效的多形式电流型反激操控与副边同步整流规划,在 230 VAC 条件下空载损耗为 64 mW。实践测得其支撑 UFCS 44 W、FCP、SCP、AFC、QC3.0、PD3.0、TFCP 与 DCP 等干流快充协议,功率最高到达了91.94%,并经过了多种维护测验,EMI 功用契合 EN55032 Class B 规范。
智融科技致力于为客户打造多元化、高功用的产品解决计划,协助工程师缩短产品研制周期,进步新品的研制功率,助力客户完成PD快充产品的细巧化以及能效晋级,以进步终端用户的运用体会。
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