氮化镓（GaN）已成为本十年来最具颠覆性的半导体技术之一，预计到 2030 年市场规模将达到 30 亿美元。消费电子应用，特别是快充，是早期的采用者，推动了销量增长和ECO的成熟。预计到 2030 年，消费电子和移动电子设备领域将占功率 GaN 器件总市场的 50% 以上。

  Yole Group 复合半导体技术与市场分析师Roy Dagher指出：“GaN 器件如今已大范围的应用于 LiDAR 系统，而 GaN 车载充电器 (OBC) 有望成为下一个销量驱动力。”

  毫无疑问，功率 GaN 市场正进入一个决定性阶段，其驱动力是整个价值链中不断加速的投资、战略性收购和持续的创新。

  下一波扩张预计将出现在汽车市场，向电气化和高级驾驶辅助系统的转变正在推动传统功率器件的极限。GaN 器件如今已大范围的应用于 LiDAR 系统，而 GaN 车载充电器 (OBC) 有望成为下一个销量驱动力。非车载直流充电器和牵引逆变器正随着更多参考设计的出现而日趋成熟。预计汽车和移动出行市场将从 2024 年到 2030 年以 **73% 的惊人复合年增长率（CAGR）**增长。

  同样，超大规模数据中心正在寻求能效解决方案来管理一直增长的工作负载。英伟达（NVIDIA）正与领先的宽禁带芯片制造商合作，将 SiC 和 GaN 技术集成到其 800 V 高压直流（HVDC）电源系统中，这为 GaN 在未来三到四年内大规模应用于数据中心铺平了道路。GaN 在支持这些架构方面具有独特的优势，它可以在一定程度上完成更高效的电源转换并腾出宝贵的电路板空间。对于 AI 服务器和网络设备而言，采用 GaN 正成为一种竞争的必需品。加上电信领域，预计该市场将在 2024 年到 2030 年间以 53% 的显著复合年增长率增长。

  随着整合奠定基础，焦点现在转向了各公司如何定位自身来定义 GaN ECO的下一阶段。

  Yole Group Roy Dagher表示，Yole Group 确认功率 GaN ECO正在从成熟期过渡到一个由整合和垂直整合塑造的、由 IDM（集成器件制造商）驱动的战略性市场。

  英诺赛科（Innoscience）凭借在快充、汽车、数据中心和家用电器领域的设计导入，以 2024 年 30% 的市场占有率保持领头羊。除器件外，该公司还开发 外延片（epi wafers），加强了垂直整合。它在中国仍保持高度活跃，同时通过与 STMicroelectronics 的合作向海外拓展。

  英飞凌作为长期的电力电子领导者，通过其 CoolGaN™ 产品和收购 GaN Systems 增强了其 GaN 地位。在消费电子、数据中心和汽车市场取得进展的同时，英飞凌正与 英伟达 合作，并开发 12 英寸 GaN-on-Si 试验线。

  纳微半导体（Navitas）这家无晶圆厂先驱，正通过 GaNSafe 将业务从消费电子领域扩展到高功率市场。它与 Enphase 和英伟达 签订了合作协议，并在启源（Qiyuan）的 SUV E07 中实现了 GaN 在 OBC 上的首次应用。

  EPC，这家 GaN 先驱，继续通过广泛的 e-mode 产品组合以及针对机器人和太空的新设计进行创新，巩固了其作为关键低压 GaN 供应商的角色。

  晶圆代工厂也占据了市场占有率，并将继续在生态系统中发挥及其重要的作用。尽管台积电（TSMC）宣布退出，但其他代工厂如 Polar Semi 和 PSMC 已加入竞争，而 Global Foundries、X-FAB 和 Vanguard 正在扩大其 GaN 产品组合。与此同时，三星（Samsung）正准备在 2026 年发布 GaN 产品。至于 onsemi（安森美），该公司从始至终保持沉默；其 2024 年的 GaN 技术论文以及在 Si 和 SiC 领域的强势地位使其进入 GaN 市场是不可避免的。依照我们的内部评估，onsemi 正准备很快加入 GaN 市场。返回搜狐，查看更加多