大多数功率高于 75W的产品都需求在 AC-DC 转化器中进行功率因数校对（PFC），以防止配电网络中出现过高。校对一般是经过交流电[YD(PSCSAP1]全波整流并将发生的波形经过[YD(PSCSAP2]脉宽调制“升压”转化器来完成，如图 1（左）所示。这会发生稳压的高压直流电，一起迫使线路[YD(PSCSAP3]电流遵从与线路[YD(PSCSAP4]电压相同的波形，以此来完成挨近统[YD(PSCSAP5]一的功率因数。

  可是，电路中的桥式整流器在最坏的情况下会丢失近 2% 的转化功率，因而很难到达“80+ Titanium[YD(PSCSAP6]”等规范的要求，关于服务器电源，在230VAC 和 50% 负载条件下，该规范仅答应 4% 的端到端损耗。

  如图 1（中）所示，一个双升压安置[YD(PSCSAP8]在电源途径中少了两个二极管并[YD(PSCSAP9]进步了功率，但价值是组件数量和复杂性进步。最佳办法是“无桥图腾柱”安置[YD(PSCSAP10]，如图 1（右）所示，它运用 MOSFET 进行线路整流[YD(PSCSAP11]、升压开关和二极管[YD(PSCSAP12]，器材可按照不同的线路极性改动[YD(PSCSAP13]功用。由于传导途径中没有二极管压降，理论上功率能够挨近 100%，而且具有固有的双向才能等优势。

  Q4 和 Q5 仅在线路频率（电网频率）[YD(PSCSAP14]下开关，因而开关损耗可忽略不计，并能挑选低 RDS(ON) 器材以完成损耗最小化。可是，Q6 和 Q7 在接连导通形式 (CCM) 下以高频“硬”开关运转[YD(PSCSAP15]，因而动态损耗或许很高。在中、高功率下选用CCM是十分必要的，由于非接连和临界传导等代替形式会发生过多的传导损耗[YD(PSCSAP16]，自身固有的高峰值电流也会发生较大应力。

  硬开关操作[YD(PSCSAP17]时，升压 MOSFET 在高漏极电压下导通[YD(PSCSAP18]，并伴有[YD(PSCSAP19]瞬态损耗。由于体二极管经过“换向”导通，升压同步MOSFET在零电压下导通[YD(PSCSAP20]，可是这会将能量 QRR 存储在体二极管中[YD(PSCSAP21]，体二极管在随后导通时会放电到升压开关，再次发生十分显着的损耗[YD(PSCSAP22]。硅MOSFET，即使是超结型，也具有较高的QRR，更糟糕的是，它们的输出电容COSS和电荷QOSS都很高。COSS 也会跟着漏极电压摆幅和温度而改变，一般为 10,000 倍，导致升压开关关断和同步 MOSFET 导通之间的死区时刻成份额改变，由于开关节点电压谐振上升[YD(PSCSAP23]。这种效应实践上约束了电路的高频操作。总归，在图腾柱 PFC级[YD(PSCSAP24]中，硅 MOSFET 的损耗和推迟是不行承受的。

  [YD(PSCSAP16]在中、高功率下，作为断续形式和临界形式的代替，选用CCM是十分必要的，由于断续形式和临界形式会发生过多的传导损耗

  [YD(PSCSAP22]这部分能量在升压开关随后注册时泄放掉，再次发生很大的损耗

  [YD(PSCSAP23]开关节点电压共振上升，导致升压开关关断和同步 MOSFET 导通之间的死区时刻需求成份额改变

  [YD(PSCSAP29]包含了EMI和浪涌按捺电路的损耗，以出现一个实践使用的规划