本实用新型提出了一种多相流流动能量传输整流器，包括调压变压器T1、同步变压器T2及三相桥式可控硅整流器T3；三相交流电源经调压变压器T1连接同步变压器T2的初级绕组，同步变压器T2的次级绕组连接三相桥式可控硅整流器T3的交流输入端，三相桥式可控硅整流器T3的直流输出端连接负载。本实用新型通过调压变压器T1及同步变压器T2实现电压粗调，通过三相桥式可控硅整流器T3实现电压细调，直流输出采用“有载调压变压器+可控硅相控”组合调压方式，可输出不一样的等级电压，实现高功率因数下的宽调压。

  (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215682151 U (45)授权公告日 2022.01.28 (21)申请号 0.5 (22)申请日 2021.06.04 (73)专利权人 武汉市整流器研究所 地址 430000 湖北省武汉市江岸区汉黄路 888号岱家山科技创业城3号楼1楼 (72)发明人 李坚 (74)专利代理机构 武汉红观专利代理事务所 (普通合伙) 42247 代理人 张杰 (51)Int.Cl. H02M 7/08 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (54)实用新型名称 多相流流动能量传输整流器 (57)摘要 本实用新型提出了一种多相流流动能量传 输整流器，包括调压变压器T1、同步变压器T2及 三相桥式可控硅整流器T3；三相交流电源经调压 变压器T1连接同步变压器T2的初级绕组，同步变 压器T2的次级绕组连接三相桥式可控硅整流器 T3的交流输入端，三相桥式可控硅整流器T3的直 流输出端连接负载。本实用新型通过调压变压器 T1及同步变压器T2实现电压粗调，通过三相桥式 可控硅整流器T3实现电压细调，直流输出采用 “有载调压变压器+可控硅相控”组合调压方式， 可输出不一样的等级电压，实现高功率因数下的宽调 压。 U 1 5 1 2 8 6 5 1 2 N C CN 215682151 U 权利要求书 1/1页 1.一种多相流流动能量传输整流器，其特征是，包括调压变压器T1、同步变压器T2及 三相桥式可控硅整流器T3； 三相交流电源经调压变压器T1连接同步变压器T2的初级绕组，同步变压器T2的次级绕 组连接三相桥式可控硅整流器T3的交流输入端，三相桥式可控硅整流器T3的直流输出端连 接负载。 2.如权利要求1所述的多相流流动能量传输整流器，其特征是，调压变压器T1的调压 级数为27级。 3.如权利要求1所述的多相流流动能量传输整流器，其特征是，调压变压器T1的绕组 为Ya0接法。 4.如权利要求1所述的多相流流动能量传输整流器，其特征是，同步变压器T2包括两 相同的第一变压器和第二变压器，第一变压器及第二变压器的初级为延边三角型绕组，第 一变压器及第二变压器的次级均具有两个三相绕组； 三相桥式可控硅整流器T3包括两相同的第一三相桥式可控硅整流电路和第二三相桥 式可控硅整流电路，第一三相桥式可控硅整流电路及第二三相桥式可控硅整流电路均由两 个三相整流桥构成； 三相交流电源经调压变压器T1分别连接第一变压器、第二变压器的初级绕组，第一变 压器次级的两个三相绕组与第一三相桥式可控硅整流电路组成同相逆并联桥式整流电路， 第二变压器次级的两个三相绕组与第二三相桥式可控硅整流电路组成同相逆并联桥式整 流电路，第一三相桥式可控硅整流电路与第二三相桥式可控硅整流电路的直流输出端并联 且连接负载。 5.如权利要求4所述的多相流流动能量传输整流器，其特征是，三相桥式可控硅整流 器T3中，每个桥臂均由两个可控硅同向并联构成。 6.如权利要求4所述的多相流流动能量传输整流器，其特征是，三相桥式可控硅整流 器T3中，每个可控硅串联快速熔断器。 7.如权利要求4所述的多相流流动能量传输整流器，其特征是，三相桥式可控硅整流 器T3中，每个可控硅并联阻容吸收回路。 2 2 CN 215682151 U 说明书 1/3页 多相流流动能量传输整流器 技术领域 [0001] 本实用新型涉及整流器技术领域，尤其涉及一种多相流流动能量传输整流器。 背景技术 [0002] 多相流流动能量传输整流器用作多相流流动能量转输科学试验，用作燃料组件临 界热流密度实验电源，其输入高压交流电，依次通过变压器降压及可控硅整流后输出可控 直流电，变压器降压为粗调，可控硅整流为细调。传统多相流流动能量传输整流器中，变压 器的变比固定，粗调电压等级固定，没办法提供不同电压等级的实验电源。 实用新型内容 [0003] 有鉴于此，本实用新型提出了一种多相流流动能量传输整流器，以解决传统多相 流流动能量传输整流器粗调电压等级固定的问题。 [0004] 本实用新型的技术方案是这样实现的：一种多相流流动能量传输整流器，包括调 压变压器T1、同步变压器T2及三相桥式可控硅整流器T3； [0005] 三相交流电源经调压变压器T1连接同步变压器T2的初级绕组，同步变压器T2的次 级绕组连接三相桥式可控硅整流器T3的交流输入端，三相桥式可控硅整流器T3的直流输出 端连接负载。 [0006] 可选的，调压变压器T1的调压级数为27级。 [0007] 可选的，调压变压器T1的绕组为Ya0接法。 [0008] 可选的，同步变压器T2包括两相同的第一变压器和第二变压器，第一变压器及第 二变压器的初级为延边三角型绕组，第一变压器及第二变压器的次级均具有两个三相绕 组； [0009] 三相桥式可控硅整流器T3包括两相同的第一三相桥式可控硅整流电路和第二三 相桥式可控硅整流电路，第一三相桥式可控硅整流电路及第二三相桥式可控硅整流电路均 由两个三相整流桥构成； [0010] 三相交流电源经调压变压器T1分别连接第一变压器、第二变压器的初级绕组，第 一变压器次级的两个三相绕组与第一三相桥式可控硅整流电路组成同相逆并联桥式整流 电路，第二变压器次级的两个三相绕组与第二三相桥式可控硅整流电路组成同相逆并联桥 式整流电路，第一三相桥式可控硅整流电路与第二三相桥式可控硅整流电路的直流输出端 并联且连接负载。 [0011] 可选的，三相桥式可控硅整流器T3中，每个桥臂均由两个可控硅同向并联构成。 [0012] 可选的，三相桥式可控硅整流器T3中，每个可控硅串联快速熔断器。 [0013] 可选的，三相桥式可控硅整流器T3中，每个可控硅并联阻容吸收回路。 [0014] 本实用新型的多相流流动能量传输整流器相对于现存技术具有以下有益效果： [0015] (1)通过调压变压器T1及同步变压器T2实现电压粗调，通过三相桥式可控硅整流 器T3实现电压细调，直流输出采用“有载调压变压器+可控硅相控”组合调压方式，可输出不 3 3 CN 215682151 U 说明书 2/3页 同等级电压，实现高功率因数下的宽调压，减小了谐波干扰； [0016] (2)由于采用了同相逆并联电路，每一相包括了两根线，两根线上产生的涡流互相 抵消，抵消了洛伦兹力，可避免铜排移动，降低发热和损耗。 附图说明 [0017] 为了更清楚地说明本实用新型实施例或现存技术中的技术方案，下面将对实施例 或现存技术描述中所需要用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅 是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提 下，还能够准确的通过这些附图获得其他的附图。 [0018] 图1为本实用新型的多相流流动能量传输整流器的电路图； [0019] 图2为本实用新型的的第一三相桥式可控硅整流电路或第二三相桥式可控硅整流 电路的电路图。 具体实施方式 [0020] 下面将结合本实用新型实施方式，对本实用新型实施方式中的技术方案进行清 楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本实用新型一部分实施方式，而不是全部 的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没做出创造性劳动 前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。 [0021] 如图1所示，本实施例的多相流流动能量传输整流器包括调压变压器T1、同步变压 器T2及三相桥式可控硅整流器T3。三相交流电源经调压变压器T1连接同步变压器T2的初级 绕组，同步变压器T2的次级绕组连接三相桥式可控硅整流器T3的交流输入端，三相桥式可 控硅整流器T3的直流输出端连接负载。 [0022] 其中，三相交流电源可为35KV/50Hz。 [0023] 其中，调压变压器T1的调压等级由有载调压开关控制，有载调压开关为27级V型开 关，从而调压变压器T1的调压级数为27级，调压范围可为20％‑100％。调压变压器T1具有一 立铁芯，绕组为Ya0接法，输入35KV、输出66～223V。本实施例经过控制调压变压器T1的 调压等级实现电压的粗调，这样有助于提供不一样的等级的直流输出。 [0024] 其中，同步变压器T2包括两相同的第一变压器和第二变压器，第一变压器及第二 变压器的初级为延边三角型绕组，第一变压器及第二变压器的次级均具有两个三相绕组。 如图2所示，三相桥式可控硅整流器T3包括两相同的第一三相桥式可控硅整流电路和第二 三相桥式可控硅整流电路，第一三相桥式可控硅整流电路及第二三相桥式可控硅整流电路 均由两个三相整流桥构成。三相交流电源经调压变压器T1分别连接第一变压器、第二变压 器的初级绕组，第一变压器次级的两个三相绕组与第一三相桥式可控硅整流电路组成同相 逆并联桥式整流电路，第二变压器次级的两个三相绕组与第二三相桥式可控硅整流电路组 成同相逆并联桥式整流电路，第一三相桥式可控硅整流电路与第二三相桥式可控硅整流电 路的直流输出端并联且连接负载。 [0025] 第一变压器和第二变压器均具有一立铁芯，第一变压器、第二变压器绕组联 接组别为DZ(‑15°)/2(y11,y5)、DZ(+15°)/2(y1,y7)，每相铁芯上的2个绕组相位差180°，第 一变压器移相‑15°，第二变压器移相+15°，使第一变压器与第二变压器二次侧同名绕组间 4 4 CN 215682151 U 说明书 3/3页 相位差30°，第一变压器及第二变压器共4个三相绕组，与三相桥式可控硅整流器T3的4个三 相整流桥组成十二相同相逆并联整流电路，输出为12脉波直流电压。 [0026] 三相桥式可控硅整流器T3采用改变可控硅移相角来细调输出直流电压，可控硅的 导电角为120度。通过调整移相角，改变可控硅的导通角，控制直流输出电压，调压范围0‑ 100％。三相桥式可控硅整流器T3共24个桥臂，每个桥臂均由两个5000A/1000V的可控硅同 向并联构成，即共有48只可控硅元件，元件留有3倍以上电流裕量和3倍以上的电压裕量，从 而保证了装置工作的可靠性；每个可控硅串联快速熔断器，如图2中的RS11，即共有48只快 速熔断器，用作过流保护；每个可控硅并联阻容吸收回路，用作过压保护。 [0027] 本实施例中，三相桥式可控硅整流器T3的直流输出端还接有续流及分压电阻，如 图1中的电阻RL1～RL4等。 [0028] 本实施例中，通过调压变压器T1及同步变压器T2实现电压粗调，通过三相桥式可 控硅整流器T3实现电压细调，直流输出采用“有载调压变压器+可控硅相控”组合调压方式， 可输出不一样的等级电压，实现高功率因数下的宽调压。采用这种组合调压方式，在宽调压中保 持系统具有较高的功率因数，减小了谐波干扰。在实际使用中，可根据铭牌所标的调压档位 做适当的调整，应使同步变压器T2二次侧线电压略高于所需电压。用户在使用时，可根据所 需电压和电流值，适当的选择有载调压器的档位开关位置。 [0029] 本实施例中，由于通电导线在磁场中会受到力的作用，可能会引起导线铜排发生移 动，也会产生涡流，产生更多的发热和损耗，由于采用了同相逆并联电路，每一相包括了两 根线，两根线上产生的涡流互相抵消，抵消了洛伦兹力，可避免铜排移动，降低发热和损耗。 [0030] 以上所述仅为本实用新型的较佳实施方式而已，并不用以限制本实用新型，凡在 本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新 型的保护范围以内。 5 5 CN 215682151 U 说明书附图 1/2页 图1 6 6 CN 215682151 U 说明书附图 2/2页 图2 7 7

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